close
تبلیغات در اینترنت
کامپیوتر , نرم افزار , تکنولوژی
loading...
سرویس سایت سایت رزبلاگ بزرگترین سرویس ارائه خدمات سایت نویسی حرفه ای در ایران

کامپیوتر , نرم افزار , تکنولوژی

آیفون ۷ و ۷ پلاس

مراسم های اپل همواره به این گونه هستند که ابتدا چند دقیقه ای صرف مرور کردن اتفاقات ماه های گذشته می شود و اکنون نیز تیم کوک در حال همین کار است، اما حساب کاربری اپل در توییر، به اشتباه توییت مربوط به رونمایی رسمی را ارسال کرد و تنها چند ثانیه بعد آن را حذف نمود.

ادامه مطلب
بازدید : 88 تاریخ : دوشنبه 09 اسفند 1395 زمان : 20:41 نویسنده : کوروش نظرات ()

پیکسل های گوگل

پس از ماه ها شایعه، بالاخره  گوگل از دو تلفن هوشمند پیکسل و پیکسل اکس ال به شکل رسمی رونمایی به عمل آورد.

همانگونه که چند هفته ای است می دانیم، طراحی دو موبایل کاملاً مشابه است و دو دستگاه تنها از نظر اندازه با هم متفاوت هستند. پیکسل به نمایشگری ۵ اینچی مجهز شده در حالی که نمونه اکس ال موبایلی ۵.۵ اینچی است که در دسته فبلت ها جای می گیرد. پنل نمایشگر هر دو موبایل از نوع AMOLED است.

گوگل صفحه نمایش نمونه کوچک تر را به رزولوشن ۱۰۸۰p مجهز کرده در حالی که نسخه ۵.۵ اینچی نمایشگری با رزولوشن QHD دارد. در این میان نکته جالب اینجاست که هر دو دستگاه توسط شرکت HTC ساخته شده اند اما نمی توان نامی از این برند بر بدنه موبایل ها دید و گوگل تمام اعتبار مربوط به ساخت آنها را برای خود نگه داشته است.

قلب تپنده هر دو موبایل، چیپست مجتمع اسنپدراگون ۸۲۱ است که می توان آن را پرچمدار کنونی کوالکام دانست. این چیپست به پردازنده ای چهار هسته ای تجهیز شده که در نهایت می تواند با فرکانس پردازشی ۲.۱۵ گیگاهرتز محاسبات را انجام دهد.

هر دو پیکسل به حافظه رم چهار گیگابایتی مجهز شده اند و گوگل در زمینه سخت افزار تفاوتی میان نمونه بزرگ و کوچک قائل نشده است. در زمینه حافظه داخلی هم دو گزینه پیش روی کاربر است: یا نمونه ۳۲ گیگابایتی را انتخاب کند و یا به سراغ نمونه ۱۲۸ گیگابایتی برود. مانند نکسوس، پیکسل ها هم از کارت حافظه پشتیبانی نمی کنند و خبری از درگاه حافظه در بدنه این موبایل نیست.

اما می رسیم به دوربین دستگاه، جایی که مدیران گوگل روی صحنه در مورد آن ادعاهای جالبی دارند. دوربین اصلی پیکسل ها ۱۲.۳ مگاپیکسلی است که از دیافراگم f/2.0 بهره می برد و از لرزشگیر مکانیکی تصویر یا همان لرزشگیر اپتیکال هم برخوردار است.

این در حالیست که با خرید این موبایل، گوگل به شما اجازه می دهد تا به شکل بی نهایت و تا همیشه از حافظه فضای ابری گوگل فوتوز استفاده کنید. (تصاویر خود را بدون پردازشی که گوگل برای فشرده سازی روی تصاویر و ویدیوها انجام می دهد، ذخیره کنید.)

گوگل روی صحنه خبر می دهد که دوربین پیکسل با توجه به آزمایش های صورت گرفته توسط «DxOMark»، بهترین دوربین موبایل است و در این آزمایش، امتیاز ۸۹ را کسب کرده است.

اما دوربین جلو، سنسوری ۸ مگاپیکسلی دارد و گوگل هنوز اطلاعات تازه ای در خصوص آن منتشر نکرده است.

پیکسل همچنین از سنسور اثر انگشت برخوردار است که در بخش پشتی دستگاه قرار گرفته و در پنل جلویی موبایل، هیچ کلیدی وجود ندارد. از سایر مشخصات این موبایل ها می توان به چیپ NFC برای انجام ساده تر پرداخت های موبایلی و همچنین درگاه USB-C اشاره کرد.

این روزها وجود داشتن درگاه ۳.۵ میلیمتری صدا در موبایل ها تبدیل به یک «ویژگی» شده و بله، خیالتان راحت. پیکسل ها این درگاه را دارند. باتری نمونه پنج اینچی ۲۷۷۰ میلی آمپری است و از تکنولوژی شارژ سریع نیز پشتیبانی می کند.

اندروید ۷.۱، پیکسل لانچر، دستیار گوگل و همچنین گوگل مجیک از سایر ویژگی های این موبایل هستند.  لازم به اشاره است که پیکسل ۵ اینچی ابعادی برابر با ۱۴۳.۸ در ۶۹.۵ در ۸.۶ میلیمتر دارد در حالی که وزن آن به ۱۴۳ گرم می رسد.

باید اضافه کرد که نمونه XL از پیکسل، ابعادی برابر با ۱۵۴.۷ در ۷۵.۵ در ۸.۶ میلیمتر دارد و وزن آن به ۱۶۸ گرم می رسد. باتری این موبایل هم به ۳۴۵۰ میلی آمپر می رسد. به جز ابعاد، وزن، باتری و البته نمایشگر، تمام مشخصات سخت افزاری موبایل های پیکسل یکسان هستند.

هر دو موبایل گوگل در سه رنگ مشکی، آبی و نقره ای در دسترس خریداران قرار دارند

بازدید : 71 تاریخ : دوشنبه 09 اسفند 1395 زمان : 20:40 نویسنده : کوروش نظرات ()

ترانزیستورهای CNTFET

سمینارهای متعددی در کشور، در مورد ترانزیستورهای نانولوله ­ی کربنی تا به حال انجام شده و مقالات زیادی در این زمینه انتشار یافته است. بعضی از پژوهشگران به مباحث علمی جدید در این زمینه پرداخته­ اند. در این سمینارها از نظرات بعضی از محققان و اساتید دانشگاه، که در این زمینه فعال هستند، استفاده کردیم ، از جمله : دکتر کیوان ناوی­، دکتر محمد عشقی،دکتر شادرخ سماوی، دکتر مهدی دولتشاهی، دکتر محمد­ رضا رشادی­نژاد­ و دکتر مسعود جباری . این متن، چکیده و خلاصه­ ای از مبانی این تحقیق می باشد.

 به­ دلیل نیاز جامعه به کاهش حجم مدارهای محاسباتی، سرعت عملکرد بالا و توان مصرفی کم در سالهای اخیر، سایز ترانزیستورهای CMOS به طور مداوم، کاهش می ­یافت. با کوچکتر کردن MOSFET­ها از 100 نانومتر، اثراتی پیش خواهد آمد که برای MOSFET­هـای بـا انـدازه­ هـای بزرگتر مهم نبوده ­اند. وقتی­که کانال، کوتاه شود، کنترل الکتروستاتیکی گیت روی کانال بـه خـوبی صـورت نمی­گیرد و باعث اثرهای ­کانال­­-کوتاهی­ می­شود که منجر بـه نسـبت جریـان روشـن بـه خـاموش کمتـر و انحراف مشخصات ولتاژجریان آن از مشخصات متناظر برای MOSFET­های با طول بزرگتر مـی­شـود. بـرای MOSFET­های با کانال بزرگتر، انتقال بار از میان کانال از طریق عبور حامل­ها از بالای سد پتانسیل صـورت می­گیرد و جریان نشتی به خاطر اکسید گیت ضخیم، قابل صرف­نظر­کـردن اسـت ولـی در بعـد نـانو، هـم­تونل­زنی سورس و درین و هم­تونل­زنی گیت به طور عمده­ای جریان نشتی را افـزایش مـی­دهنـد و جریـان نشتی در تونل­زنی حالت خاموش نیز افزایش می­یابد. همچنین در کانال­های با طول کوتـاه، شـدت میـدان الکتریکی بسیار بالا می­رود. این میدان­ها با کمتر­شدن طول کانال در ابعاد نانو به نحو قابل توجهی افـزایش می­­یابند. این میدان­­های بزرگ دو پیامد مخرب را به ­همراه دارند؛ اول اینکـه جریـان­­هـای نشـتی بـالایی را تولید می­کنند و دوم اینکه اگر میدان خیلی بالا رود، شکست بهمنـی رخ­ داده کـه مـی­­توانـد مـوج جریـان بزرگی را تولید کرده و به افزاره آسیب کلی برساند. به تمامی این موارد می­­توان پیچیدگی ساخت در ابعـاد نانو را هم اضافه کرد که تغییر اندکی در پیاده­سازی اندازه­ها در این مقیـاس، باعـث خـروج افـزاره از ناحیـه عملکرد مورد نظر می‏شود.

پدید­­آمدن مشکلات ذکر­ شده، باعث شده است کـه علـم طراحی مدارهای دیجیتال همـواره در­پـی یـافتن راه حـل­­­هـایی مناسب، برای غلبه بر این مشکلات و کاهش هرچه بیشتر اندازه افزاره­ها باشد. یکی از این راه­هـا، اسـتفاده از مواد جایگزین Si­، در افزاره­­ها بوده است. یعنی یافتن موادی که در مقیاس­های بسیار کوچک بتواننـد عملکرد بهتری نسبت به Si­، داشته و انتقال حامل­ها در آن­ها به صورت مؤثرتری قابل کنترل باشـد. یکی از گزینه­ها، استفاده از نانولوله­­های­کربنی به عنوان کانال در افزاره­هـای اثـر­میـدان مـی­­باشـد. نتـایج مطلوب بدست آمده از ساخت و شبیه­سازی این افزاره­ها، باعث طرح­شدن افـزاره­هـای اثـر­میـدان نانولولـه­­کربنی، به عنوان یکی از گزینه­های محتمل برای تکنولوژی­های آتی ساخت مدارهای مجتمع دیجیتال شده است.

به این ترانزیستورها  CNTFET(Carbon Nanotube Field Effect Tansistor) می­گویند. هدایت الکتریکی نانولوله­­­کربنی، از خواص جالب توجه آن است. در مطالعات متعددی، میزان قابلیت تحرک­، که از آزمایش­های رسانایی در ترانزیستورها بدست می­آید، گزارش شده است و نوعاً در حدود 104-103 سانتیمتر­ مربع بر ولت ­ثانیه است. قرار­دادن عایق با ضریب دی­الکتریک بالا، بر روی نانولوله، قابلیت تحرک حامل را کاهش نمی­دهد که این امر به علت ساختار هندسی نانولوله است که منجر به حذف باندهای آویزان می­شود. این نانولوله ­های ­کربنی،گرما را به صورت مؤثری انتقال می­­دهند از این­رو می­توانند به عنوان خنک کننده­ ی سریع عمل کنند.

با توجه به کارایی خیره­ کننده ترانزیستورهای نانولوله ­­کربنی، تمایل محققین به سمت این حوزه، در سال­های اخیر، بیشتر شده.

در سال 1991، ­Ijima، ساختاری جدید از مولکول­های کربن را به نام نانو­لوله­ های ­­چند­دیواره ­ی ­­کربنی­، معرفی کرد. در سال 1993، Ijima و همکارانش توانستند با ارائه نانو­لوله­ های ­تک­ دیواره ­ی ­­کربنی، مشکلاتی را که بر سر راه  MOSFET وجود­ داشت، برطرف­ کنند. نانولوله ­ها، با کمک ورقه­ای از جنس گرافیت، که حول یک بردار، پیچیده شده است، تهیه می­شوند. با تغییر اندازه و جهت بردار فوق و همچنین، چینش اتم­ها حول محور نانولوله، می­توان قطر نانو­لوله را تغییر داد.

 تغییر قطر، باعث می­شود که نانولوله در قطرهای گوناگون، خاصیت الکتریکی متفاوتی از خود نشان دهد.

untitled-2

 به عنوان مثال، زمانی که رابطه­ی  n-m≠ 3iبرقرار باشد، نانو­لوله از خود خاصیت نیمه ­هادی نشان می­دهد. به ­همین ­دلیل، این ­ماده می­تواند به ­عنوان جایگزینی مناسـب در کانـال ترانزیـستور در نـظر گرفته شـود تا بتـوان ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از 22 نانومتر، ساخت. برای بیان مزایای استفاده از نانولولـه ­هـای ­کربنی، در ساخت ترانزیستورها می­توان از عملکرد بدون­ عیب در مقیاس کمتر از 22 نانومتر، سرعت بسیار بالا به ­دلیل خاصیت انتقال بالستیک در طول کانال، توان مصرفی کم به­ دلیل ابعاد مینیاتوری،تولید جریان الکتریکی زیاد، تنظیم ولتاژ آستانه با تغییر قطر نانولوله، جنبش الکترونی زیاد، کنترل بهتر بر روی تشکیل کانال، هندسه و ابعاد مشابه نوع  pو ­n، نام برد. با ساخت این ­ترانزیستورها، دریچه ­ای جدید بر محقّقان­، گشوده شد که باعث ارائه ­ی مقالات بسیاری در چند سال گذشته بوده است. در میان خواص گوناگون نانولوله­ کربنی از ­همه ­بیشتر، خاصیت تغییر ولتاژ آستانه، توجه طرّاحان را به ­خود جلب کرد. ولتاژ آستانه ­ی ترانزیستور رابطه­ ای عکس با قطر نانولوله دارد. از آن­جا­ که قطر نانولوله قابل تغییر است، ولتاژ آستانه ­ی این نوع ترانزیستورها را می­توان تغییر داد

بازدید : 3077 تاریخ : دوشنبه 09 اسفند 1395 زمان : 20:38 نویسنده : کوروش نظرات ()
تبلیغات
Rozblog.com رز بلاگ - متفاوت ترين سرويس سایت ساز

آمار سایت
  • کل مطالب : 3
  • کل نظرات : 0
  • افراد آنلاین : 2
  • تعداد اعضا : 0
  • آی پی امروز : 115
  • آی پی دیروز : 150
  • بازدید امروز : 227
  • باردید دیروز : 294
  • گوگل امروز : 0
  • گوگل دیروز : 0
  • بازدید هفته : 521
  • بازدید ماه : 9,948
  • بازدید سال : 60,821
  • بازدید کلی : 60,821